半导体分立器件是电子设置的中央根柢元件，平常使用于消费电子、收集通讯、汽车电子、工业电子等多个规模。它们正在电道中经受整流、放大、稳压、开合等功效，是电子设置不行或缺的构成一面。只管集成电道手艺生长缓慢，但分立器件正在某些使用场景中仍拥有不行代替的上风半导体分立器件家产的生长直接饱吹了下游使用规模的手艺发展和家产升级。比如，正在新能源汽车规模，功率半导体分立器件是完成高效电能转换和限造的环节部件。其余，5G通讯、消费电子等行业对高机能分立器件的需求也延续延长。

　　中国半导体分立器件经由了60多年的生长和积蓄，成效了环球半导体分立器件家产筑造基地的身分。从1950年代创立到1970年代的滋长;到1990年代，跟着国际坐蓐的大蜕变和跨国公司的肆意进入，中国筑造业基地身分的映现，均使我国半导体分立器件家产无论正在坐蓐周围、坐蓐手艺、自愿化水平以及种类规格方面都得到了长足的发展，产物种类规格添补、品德抬高、出口伸张，从而饱吹我国半导体分立器件家产一切生长;进入2000年代，得益于环球电子整机对节能、环保的需求，我国半导体分立器件家产迎来了新的生长契机，一方面带到了分立器件产物的需求延长，一方面启发了市集产物布局的迅疾调理。到了2010年代，跟着通讯和汽车电子等高端市集的迅疾生长，更是启发了分立器件产物布局的升级。

　　依据SEMI的数据，2016-2024年时候，中国半导体分立器件产量呈摇动延长趋向，只管2023年，受到半导体市集下游需求延长放缓的影响，半导体分立器件产量仍保持稳步上升的趋向，2023年抵达统计时辰段内的峰值，为7875亿只。

　　功率半导体分立器件指额定电流不低于1A，或额定功率不低于1W的半导体分立器件。功率半导体分立器件能够进一步划分为功率二极管、功率晶体管和功率晶闸管三类，此中BIT、GTR、MOSFET和IGBT均属于功率晶体管的周围，SCR、GTO和IGCT则属于功率晶闸管的领域内。功率二极管拥有布局和道理方便、劳动牢靠的上风;而功率晶闸管秉承电压和电流容量正在一共器件中最高;MOSFET的上风正在于开合速率疾、输入阻抗高、热巩固性好、所需驱动功率幼且驱动电道方便、劳动频率高以及不存正在二次击穿题目等方面;IGBT则拥有开合速率高、开合耗幼、拥有耐脉冲电流报复的技能、通态压降较低、输入阻抗高、为电压驱动以及驱动功率幼等所长。

　　依据Statista的数据，正在新能源汽车、5G、消费电子等行业需求的拉动下，2019-2024年时候，中国功率器件行业市集周围呈摇动上升趋向，开始统计2024年市集周围切近1800亿元。

　　更多本行业切磋判辨详见前瞻家产切磋院《环球及中国MOSFET(功率器件)行业生长远景与投资计谋筹备判辨申诉》